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ReRAM的优势

用3D ReRAM重新思考非易失性存储器

比Flash闪存提升100倍读性能和1000倍的写性能

Crossbar的ReRAM技术是基于一种简单的器件结构,使用与CMOS工艺兼容的材料和标准的CMOS工艺流程。它可以很容易地在现有的CMOS晶圆厂中被集成和制造。由于Crossbar ReRAM阵列是在低温的后段工艺制程中进行集成,多层Crossbar ReRAM阵列可以在CMOS逻辑晶圆上部进行集成,从而构建3D ReRAM存储芯片。

NAND 闪存的性能随着向更小的工艺制程演进而下降。而与此不同的是,Crossbar的ReRAM向更小工艺制程的演进不会影响器件性能,具有演进至10nm以下的潜力。

与传统的Flash闪存相比,Crossbar ReRAM提供更快的、bit级翻转、无须擦除的操作。它提供比闪存低100倍的读延迟、快1000倍写性能,更小的页面架构从而减小读写延迟、降低能耗、提升存储器解决方案的寿命。

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