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用3D ReRAM重新思考数据中心

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Crossbar阻变式随机访问存储器(ReRAM)T系列IP内核是数据中心,移动计算,消费电子和人工智能等高密度,低延迟存储器应用的理想选择。 它们提供高密度,低延迟,高性能和低功耗的非易失性存储器解决方案。

数据完整性和操作特性超过目前的3D NAND Flash。 根据业务模式,可以将IP内核以硬宏的方式提供给客户,集成到SoC或FPGA设备中,或做为独立存储芯片使用。

借助Crossbar 3D ReRAM技术的卓越特性,Crossbar正在开创新的数据存储解决方案,支持的容量从8Gbits(1GBytes)到1TB,或者定制化的大小。

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T系列IP关键特性:

T系列IP是许多应用的理想内存选择: