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用ReRAM重新思考存储类内存

比基于NAND 闪存的NVMe 固态硬盘快10倍;比基于NAND闪存的NVDIMMs 快25倍

基于突破性的ReRAM技术,Crossbar的IP内核可实现高性能,高耐用性,高密度,低能耗存储器解决方案,如NVMe SSD,NVDIMM和定制解决方案。 Crossbar正在为数据中心,云计算和超融合基础架构带来新的存储创新浪潮。

与现有的基于闪存的NVMe固态硬盘(SSD)解决方案相比,Crossbar ReRAM技术通过减少整体内部数据管理,在系统级别提供卓越的性能,大大简化了NVMe控制器和固件的设计。ReRAM 的无需擦除操作的写覆盖能力,小页面支持和固有低延迟,使存储器架构师能够开发出最大10us随机读写延迟(比NAND闪存SSD高10倍),6.4M随机读写IOPS @ 512B( 比NAND闪存SSD好10倍)的NVMe固态硬盘。

基于ReRAM的NVMe SSD解决方案降低了数据存储器和CPU处理器之间的性能差距,并且作为完美的基于闪存的SSD替代产品,具有更高的耐用性,可靠性和低功耗。 ReRAM存储器解决方案是云计算,数据中心,移动计算和人工智能应用的理想选择。

基于ReRAM的NVDIMM解决方案是将ReRAM存储器芯片,控制器,固件组合到单个存储器子系统中的非易失性存储器解决方案。 该解决方案提供卓越的性能和非易失性,如果电源中断,可立即恢复。 NVDIMM在服务器的标准DRAM内存插槽中运行,以低延迟处理持续数据访问,并具有高IOPS性能。

由于ReRAM比闪存天生超好的内在特性,NVDIMM可以通过优化控制器和固件设计被大大简化。 它们提供卓越的性能,最大4us随机读写延迟(比NAND闪存SSD高25倍),24M随机读写IOPS @ 512B(比NAND闪存SSD高32倍),更高的耐用性,可靠性和低功耗。 基于ReRAM的NVDIMM是云计算,数据中心,移动计算和人工智能应用的理想选择。

Crossbar将评估客户的要求,并提供定制解决方案,来帮助客户实现产品商业化。

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