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领导团队在存储器创新领域拥有丰富经验

Crossbar公司总部位于美国加利福尼亚州圣克拉拉,由George Minassian领导。公司的管理和研发团队包括一些世界上知名的技术专家,拥有数十年的开发、制造和销售非易失性存储器技术和解决方案的经验。

George Minassian博士

首席执行官暨联合创始人

George Minassian博士从2010年起担任Crossbar的联合创始人和首席执行官。Minassian博士拥有丰富的半导体存储器行业经验,为Crossbar带来了25年的系统、逻辑设计、新业务拓展和产品开发的经验。 在其职业生涯中,Minassian博士在开发成功商业化的尖端产品方面有着卓越的成就。

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George Minassian博士从2010年起担任Crossbar的联合创始人和首席执行官。Minassian博士拥有丰富的半导体存储器行业经验,为Crossbar带来了25年的系统、逻辑设计、新业务拓展和产品开发的经验。 在其职业生涯中,Minassian博士在开发成功商业化的尖端产品方面有着卓越的成就。

从2002年到2010年,Minassian博士在Spansion担任多个职位。Spansion是领先的闪存解决方案变革者。Minassian博士在Spansion所担任的最近的职务是系统和软件工程副总裁, 领导面向蜂窝无线市场的12亿美元的闪存业务。在Spansion期间,他开发并创立了新兴技术的全新行业标准,例如PISMO,并在大规模产品开发和管理方面成绩卓著。

1999年到2002年,Minassian博士在Advanced Micro Devices担任无线工程总监。Advanced Micro Devices是微处理器领导厂商。在那里, 他开发了业内第一个CMOS RF工艺和完整的802.11b/a芯片组及参考设计。

Minassian博士拥有位于奥斯丁的德克萨斯大学的电子工程和计算机科学博士学位。

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Sung Hyun Jo博士

首席技术官兼联合创始人

Sung Hyun Jo博士自2010年起,作为Crossbar首席技术官,领导公司先进存储器器件技术团队。他在纳米电子学和半导体工艺及器件领域有着超过10年以上的丰富经验,并屡获研究和开发奖项。

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Sung Hyun Jo博士自2010年起,作为Crossbar首席技术官,领导公司先进存储器器件技术团队。他在纳米电子学和半导体工艺及器件领域有着超过10年以上的丰富经验,并屡获研究和开发奖项。

他的主要研究领域包括新兴的非易失性记忆体技术,特别是ReRAM和基于ReRAM器件的可编程逻辑。他成功进行了第一个混合记忆突触/ CMOS神经元系统的演示, 这在神经元系统领域被高度引用。他还开发了原型的3D可堆叠高密度交叉存储器器件——Crossbar存储器技术的一个重要组成部分。

鉴于其在研究上的杰出成就,Jo博士赢得了多项技术荣誉,包括Sansung颁发的Human-Tech奖项、为纳米纤维的科学应用而设的Raith Micrograph奖项,以及表彰ReRAM研究的MRS奖项。

Jo博士拥有超过80个已获批和申请中的专利,他作为第一作者的期刊论文已被同行研究人员引用超过4000次。

Jo博士拥有密歇根大学博士学位,并被授予最佳电子工程博士论文。在此之前,他以优异成绩从延世大学获得学士学位后,又在韩国先进科学技术研究院(KAIST)获得了硕士学位。

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Sundar Narayanan博士

技术副总裁

Sundar Narayanan博士自2012年起担任Crossbar技术部副总裁,引领并前瞻公司的可变电阻式存储器技术。他为Crossbar带来了超过15年的技术开发产业经验, 特别是在原型、商业化、技术转移、良率提升和小批量试生产上。

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Sundar Narayanan博士自2012年起担任Crossbar技术部副总裁,引领并前瞻公司的可变电阻式存储器技术。他为Crossbar带来了超过15年的技术开发产业经验, 特别是在原型、商业化、技术转移、良率提升和小批量试生产上。

Narayanan博士于2011年担任SVTC Technologies工程部主管,带领一支由70名工程师组成的团队,为公司位于圣何塞和奥斯汀的分部开发多项用于可转化为革新产品的技术。 他发展并完善了技术开发的流程,从原型的想法提取到验证及专业生产,包括多种存储器的器件平台,例如CMOS和非易失性记忆体(包括SONOS、PCM、CBRAM、MRAM)MEMS,BioMEMS, 光子学和能量。

Narayanan博士还曾担任圣何塞纤维设施的工厂主管长达两年,主要负责提升运营和工程效率。在此期间,他成功将单一化制造的工厂转型为研发和小批量试生产并存的厂房。

在加入SVTC之前,他在Cypress Semiconductor从事工艺和器件整合工作长达十年之久。

他拥有14项已获批的美国和全球专利,并在期刊和会议议程中发表过超过20篇论文和文章。

Narayanan博士拥有德雷克塞尔大学博士学位,并曾作为纽约特洛伊壬色列理工学院(RPI)的访问学者和博士后研究员,同时还获得了美国质量学会认证的六西格玛绿带。

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Hagop Nazarian

工程副总裁,暨联合创始人

Hagop Nazarian是Crossbar工程部的副总裁和创始人之一,拥有超过25年的半导体行业经验。在主导新产品和技术立项、设计工程团队管理、 研发设备和可靠性工程等方面经验丰富。

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Hagop Nazarian是Crossbar工程部的副总裁和创始人之一,拥有超过25年的半导体行业经验。在主导新产品和技术立项、设计工程团队管理、 研发设备和可靠性工程等方面经验丰富。

在加入Crossbar之前,Nazarian先生曾是Spansion设计工程部的副总裁。他的本地和全球设计团队曾成功地设计了65nm和45nm的MirrorBit NOR产品。 此前,作为Micron Technology公司NAND闪存设计的主管,他组建了第一个开发出90nm,70nm和50nm技术节点上2Gbit至16Gbit SLC和MLC NAND产品的NAND设计团队。 他还担任了信息存储设备设计主管,其带领的本地和全球设计团队成功地设计了混合模式模拟产品和数字无绳电话VoiceDSP产品。 作为Cypress Semiconductor的设计经理,他的设计团队架构并设计了Cypress首个基于CPLDs闪存的产品线和7.5nm FLASH PLD。 Hagop还曾就职于Xicor,担任高级设计师和设备研发工程师,开发非易失性EEPROM存储器单元技术和产品。

Nazarian先生拥有95项获批专利和12项申请中专利,它们涉及PLD,CPLDs, NAND, NOR, MRAM, ReRAM技术、混合模式可编程模拟电路和产品架构。 他在期刊和会议议程共有3篇论文和文章发表。

他拥有加州圣克拉拉大学电子工程硕士学位。

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Sylvain Dubois

战略营销和业务发展副总裁

Sylvain Dubois自2013年起加入Crossbar管理层担任战略营销和业务发展部副总裁。拥有超过17年的半导体行业业务开发和战略产品营销经验, 他在市场趋势分析、新业务和高利润业务机会挖掘,...

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Sylvain Dubois自2013年起加入Crossbar管理层担任战略营销和业务发展部副总裁。拥有超过17年的半导体行业业务开发和战略产品营销经验, 他在市场趋势分析、新业务和高利润业务机会挖掘,和创造精准产品定位上的专业能力,能为公司带来市场需求洞见,以扩大市场领先和提升销售。

在加入Crossbar之前,Dubois先生曾就职于Spansion,领导新产品开发的战略产品定位和市场进入和定位策略。Dubois先生主要负责挖掘新增长机会和扩大产品线, 是定义Spansion闪存产品开发走向的重要人物。

Dubois先生曾于2002年至2006年就职于德州仪器,担任OMAP应用处理器的SoC架构师。他主要负责DRAM和闪存控制器架构和技术路线定义, 并与主要DRAM和闪存供应商制定战略合作伙伴关系。

Sylvain Dubois拥有法国巴黎E.S.I.E.E.大学、英国南安普顿大学和西班牙Pontifica Comillas大学的微电子硕士学位。

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