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重新思考存储的创新

电灯泡。汽车。电话。所有这些发明创造都对这个世界和人们的生活产生了深远的影响。那么下一个是什么?自然人机界面、自动驾驶汽车、人工智能将带来又一波发明浪潮,将以惊人和积极的方式转变社会的运行轨迹。 这些系统要求随时随地都能对数据进行的访问。数据成为了“新空气”,无论何地,无论何时,随时能被访问。然而,为了使数据真正能做到随时随地被访问,发明家们必须重新思考现状。 需要新技术来构建无延迟、高能效、高容量以及极其快速反应的系统,那就是Crossbar ReRAM存在的意义。

Crossbar创建于2010年,以不同凡响的方式,对一种被称之为ReRAM的非易失性存储器进行商业化的征程。Crossbar ReRAM,这种独特的存储器技术既可以集成于SoC芯片中,或者做为独立的存储器芯片生产, 在创建这个崭新的世界的过程中,正扮演着重要角色。

ReRAM使紧密集成的计算与存储子系统成为可能,把设计人员从传统的基于总线的存储架构中解放出来。

有了ReRAM, 设计人员可以从“持续计算”中创建全新的子系统。在那儿,被集成的数据端口从来不对“智能存储器”关闭,“智能存储器”从每一个交互中进行学习,并自动检索,过滤,计算数据,而无需CPU干预。

Crossbar ReRAM目前已经制备了40nm产品并已经向2x nm迈进,实现更高密度和更紧密集成的的器件。Crossbar将其技术作为现成的或定制的IP核,授权给SoC和存储器厂商。 Crossbar还积极地拓展硬件和软件合作伙伴的生态系统,来帮助人们重新构想如何使以ReRAM为中心的新型架构引领下一轮世界变革的浪潮。

  • 创建于2010年,总部位于美国加利福尼亚州的Santa Clara
  • 是基于导电细丝专利技术的非易失性ReRAM技术的领导者
  • 基于40nm工艺的IP核授权已经准备好了
  • 2x nm及以下制程工艺的IP核正在开发中
  • 应用于SoC、MCU、FPGA的嵌入式存储器IP授权,容量从Kbytes、Mbytes 到Gbytes
  • 授权用于独立存储器芯片的IP容量从Mbytes、Gbytes 到Terabytes
  • 截止目前,已经提交了290项专利申请,其中145项专利已经获得批准
  • 合作开展定制的以ReRAM为中心的架构,已经取得进展
  • 投资人:Artiman, 宽带资本, Correlation Ventures, Kleiner Perkins Caufield & Byers, Korea Investment Partners, 北极光创投, 元禾控股, SAIF Partners, Tao Invest, Tyche Partners, University of Michigan
  • 已经被证明可演进至10nm以下工艺制程
  • 比NAND闪存读延迟低100倍,能源效率提高20倍,写入性能快1000倍
  • 无须擦除,比特/字节级别的写覆盖能力
  • 在标准CMOS生产线上生产
  • 每颗芯片1TB以上容量,以及更高容量成为可能