Crossbar ReRAM 对CMOS的兼容性和在工艺上向更小尺寸的可扩展性,可以把非易失性内存IP模块与微控制器(MCU)、系统芯片(SoC)和现场可编程门阵列(FPGA)在同一制程工艺节点上进行整合。基于SMIC 40nm CMOS的ReRAM模块生产工艺现已实现。本次合作使客户能够在MCUs和SoCs上集成低延滞、超高性能和低功耗的嵌入式ReRAM内存模块,用于物联网、可穿戴设备、平板电脑、消费电子、工业和汽车电子等市场。此外,Crossbar已计划为多项其他应用筹备更小工艺节点的技术实现。

Crossbar ReRAM单元的整合在标准CMOS流程的后段进行,被整合在标准CMOS晶圆的两层金属线之间,并与底层的CMOS逻辑IP模块直接相连。这造就了一个极度整合的解决方案,即在一个芯片上整合了非易失性内存、处理核、模拟和RF。

只需要在标准CMOS工艺上添加两层光罩,其所带来的成本提升非常有限,而且代工厂基本无需额外的投资, 加上更胜一筹的内存性能和特征,Crossbar ReRAM为嵌入式非易失性内存(eNVM)应用带来更大的价值。

Crossbar ReRAM技术的多面性为创新的、能够与最先进的处理逻辑核直接整合的内存和存储解决方案的实现提供了可能:通过提高系统性能和降低当今模块化的基于闪存的解决方案的复杂性来实现更好的能耗效率。

Crossbar嵌入式1T1R模块图解

半导体芯片中的嵌入式1T1R ReRAM

Crossbar ReRAM技术的多面性,实现了能够与处理逻辑核直接整合的内存和存储解决方案

半导体芯片中的嵌入式1TnR ReRAM

1T1R产品:PicoE - 嵌入式电阻式RAM

Crossbar电阻式RAM(ReRAM)代码和数据内存“PicoE”系列为需要低功耗、高性能非易失性代码执行和数据存储的嵌入式应用提供了一个具有成本优势的整合内存解决方案。PicoE嵌入式ReRAM专门针对MCU、片上系统和FPGA上的片上宏元,能够将它们整合到互联智能设备,例如物联网、可穿戴和平板电脑、消费电子、工业和汽车电子。

PicoE产品以整合到MCU或者SoC设计的硬宏元的形式向客户提供。支持的密度从2M比特(256K 字节)到128M比特(16M字节)。

低延滞PicoE系列可用于程序和数据存储。数据完整性和运行特性符合或超越了更为广泛使用的嵌入式闪存技术。

主要特性

  • 嵌入式1T1R内存IP模块
  • 256KB-16MB密度
  • 采用40纳米和28纳米CMOS工艺节点

    • CB31NE002M40 (2Mb) 到 CB31NE128M40 (128Mb)
    • CB31NE002M28 (2Mb) 到 CB31NE128M28 (128Mb)

更多信息

详细的技术信息可应要求承索。欲了解更多信息,请使用我们的联系表格。

获取PicoE产品介绍

基于中芯国际40纳米技术节点,我们能够为客户提供应用于智能卡和多种物联网器件的高容量、低功耗且具有独特安全性的存储器技术。我们很高兴与Crossbar在中芯国际稳定可靠的40纳米技术平台上展开合作。
Tzu-Yin Chiu博士
首席执行官,执行理事, SMIC