Crossbar的“内置选择器”专利技术允许无数的Crossbar ReRAM单元在真实的交叉存储器阵列中相互连接。这一存储器阵列能够扩展到10纳米以下的工艺,在一个存储单元中存储多个比特,堆叠的3D架构,这为兆兆字节的信息存储在单个die中铺平了道路。

ReRAM技术免擦除的架构,可配置的小页面粒度,不需要块擦除,它比基于闪存的固态存储方案拥有令人称赞的性能。这也减少了存储控制器的复杂度与存储访问的次数,开创了一个固态数据存储方案的新纪元。

Crossbar ReRAM 技术的多功能性可以基于目标应用使能不同的设备特性与性能。Crossbar现在正在与战略伙伴合作新的数据存储解决方案,这将会让Crossbar 3D ReRAM技术的优越特性带给终端用户良好的体验 。

制造3D内存芯片并不是很难,难就难在将众多内存单元封装在一起,使其含有大量高密度的存储器,这是困扰了芯片制造商很久的难题。成功制造出含有大量密集封装的电路的3D结构,能够让内存芯片在非常小的尺寸里存储海量的数据,使得具有更少的响应时间和更低功耗的高密度存储成为可能。正因如此,从数据中心到智能手机的不同应用都能受益。
Dean Takahashi
主笔, VentureBeat