Crossbar 可变电阻式内存 (ReRAM) 代码与数据内存 IP授权是嵌入式应用的理想选择,比如物联网、可穿戴、平板、智能手机、消费类电子、人工智能、工业、汽车与医疗。非易失性存储器IP核可以以40纳米到28纳米工艺被集成在微控制器(MCU), 片上系统芯片(SoC) 与现场可编程门阵列(FPGA) 中。 通过提高系统性能与降低今天基于闪存的IP核或方案的复杂度,Crossbar ReRAM IP核为需要低延迟、高性能与低功耗的非易失性代码执行与数据存储的嵌入式应用提供了一个成本有效的集成存储器的方案。IP授权以硬宏单元的方式提供给客户,支持的容量可以定制化,范围可以从2Mbits (256K Bytes) 到 128M bits (16M Bytes), 或定制化的容量。

嵌入式ReRAM内存IP的特性:

  • 嵌入式1T1R内存IP核
  • 2Mbits (256KB) 到 128Mbits(16MB),或定制化的容量
  • 40纳米与28nm 标准化的CMOS工艺
  • 主要的同步接口:时钟:40MHz; 32位数据输入,32位数据输出
  • 供电电压(40nm): VDD=1.1V (+10%, -5%); VDDH=1.5V (±10%)
  • 写数据前不需要擦除操作
  • 状态寄存器:Tracks Ready/Busy and Success/Failure
  • 输出结果是 Ready/Busy and Pass/Fail
  • 写保护来阻止过失性写操作
  • 写耐久性 – 100K次写操作
  • 保存期 – 在85°C保存数据10年(10K次写操作后)

可交付的列表:

  • 前端设计:LEF 模型, behavior 模型, timing模型
  • 后端设计: GDSII, DRC&LVS report, PIPO log
  • Collaterals:
    • Datasheet
    • 测试方法指导书
    • 集成指导书
    • Application notes
    • 评估板

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