Tsu-Jae King Liu教授

Tsu-Jae King Liu 分别于1984、1986、1994年从斯坦福大学取得本科、硕士、博士电子工程学位。1992年,她以研究员的身份加入施乐公司帕洛阿尔托研究中心,在高性能平板显示与影像应用方向从事多晶硅薄膜晶体管的研发。在施乐公司帕洛阿尔托研究中心任职期间,她也是斯坦福大学电子工程专业的咨询助理教授。1996年8月,她加入了加州大学伯克利分校,目前任职于电子工程与计算机科学系(EECS),荣获台积电微电子领域杰出教授称号。从2000年到2004年及2006到2008年,她出任加州大学伯克利分校微细制作实验室主任。在2003到2004年,她也是EECS系负责研究生事务的系副主任。2004到2006年,她是加州山景城Synopsys公司先进技术部门的高级工程总监。从2008年7月到2012年6月,她是加州大学伯克利分校工程学院主管研究的副院长。2012年7月到2016年6月,她是电子工程专业的领导,2014年7月到2016年6月,她是EECS系主任 。2016年7月到2016年9月,她是加州大学伯克利分校工程学院主管学术规划与发展的副院长,从2016年10月开始,她就任主管学术与空间规划的副校长。

刘教授获得的荣誉有:自多晶硅 - 锗薄膜的开创性工作而获得的Ross M. Tucker AIME电子材料奖(1992年),因薄膜晶体管技术研究获得的NSF职业成就奖(1998年),由FinFET开发获得DARPA重大技术成就奖(2000年),在加州大学伯克利分校获得电子工程突出教学奖(2003年),因在纳米级MOS晶体管,存储器件,和MEMS器件做出突出贡献获得IEEE Kiyo Tomiyasu奖(2010年),在电介质和绝缘研究领域的优秀工作获得电化学学会电介质科学技术部的Thomas D. Callinan奖(2011年),Intel纳米技术杰出研究员奖(2012年),SIA大学研究员奖(2014年),SRC的亚里士多德奖(2016年)。她目前的研究工作主要在纳米级逻辑与存储器件,先进材料,制程技术,节能电子器件领域。她作为作者或共同作者发表了500篇出版物,并拥有超过90个专利。

刘教授是IEEE院士,和电化学协会(ECS)、信息显示协会(SID)与材料研究协会(MRS)过去的成员。她曾担任过许多技术会议的委员会成员,包括器件研究会议,国际固态器件和材料会议,国际电子器件会议和VLSI技术研讨会,也是IEEE EDS VLSI技术和电路技术委员会的成员,她现在是NAE(北美和欧洲)VLSI技术和电路研讨会执行委员会的成员,IEEE电子器件通讯的主编,以及Intel公司董事会成员。

卢伟教授

卢伟教授于2010年共同创立了Crossbar,致力于将基于电阻切换器件的存储器技术商业化。 他在纳米结构和器件领域拥有超过20年的专业知识,包括基于两极电阻切换的高密度存储器和逻辑器件,神经形态电路,半导体纳米线器件和低维系统中的电子传输。

他目前是密歇根大学电子工程与计算机科学及应用物理学教授。 卢博士还是哈佛大学2003-2005年的博士后研究员。

卢教授专攻硅基、CMOS兼容的高性能非易失性交叉存储器的研发。 他的成就包括,第一次在不使用外部晶体管或二极管作为选择器的情况下,将crossbar ReRAM阵列与CMOS电路集成 。 他还首先证明电阻切换器件可以有效地在神经形态系统应用领域模拟突触。

他于2010年获得NSF职业成就奖,2003年获得Wilson奖。他发表了100篇期刊论文,被同行研究人员引用超过10,000次。 卢博士在IEDM,IEEE Nano,NVMTS和MRS等许多国际会议上作过全体会议报告或特邀报告。

卢教授是ITRS新兴研究器件工作组的积极成员,也是皇家化学学会旗舰期刊Nanoscale的联合主编之一。 他还曾担任NSF,DOE,ARO,AFOSR和30多个其他科学期刊的审稿人和专家组成员。

陆教授拥有德克萨斯州莱斯大学的物理学博士学位和中国清华大学的物理学学士学位。

Mervyn Rose教授

Prof. Mervyn Rose是物理电子学教授及英国Dundee大学电子工程与物理专业领导。 1992年以来,他一直从事教学与学术工作,在此之前,是非晶材料研究小组的研究人员。

  • 非晶材料研究小组的主任
  • DisplayMasters的主任,一个跨大学硕士项目,旨在为未来的高科技应用培养新一代显示技术专家
  • EPSRC学院成员
  • DTI / EPSRC 链接信息和存储器件委员会成员
  • DTI显示技术顾问
  • 物理研究所Fellow(2004年起)