Sung Hyun Jo博士自2010年起,作为Crossbar器件和先进技术部副总裁,带领公司先进内存技术开发。他为公司带来了超过10年的半导体工艺和器件经验,以及屡获奖项的研究和开发。

他的主要研究领域包括新兴的非易失性记忆体技术,特别是ReRAM和基于ReRAM器件的可编程逻辑。他成功进行了第一个混合记忆突触/ CMOS神经元系统的演示。本系统模拟了一个生物系统如STDP(穗时序依赖型可塑性)的突触功能。他还开发了原型的3D可堆叠高密度交叉内存器件——Crossbar内存技术的一个重要组成部分。

鉴于其在研究上的杰出成就,Jo博士赢得了多项技术荣誉,包括Sansung颁发的Human-Tech奖项、为纳米纤维的科学应用而设的Raith Micrograph奖项,以及表彰ReRAM研究的MRS奖项。

Jo博士拥有超过40个已获批和申请中专利,他作为第一作者的期刊论文已被同行研究人员引用超过1000次。

Jo博士拥有密歇根大学博士学位,并被授予最佳电子工程博士论文。在此之前,他以优异成绩从延世大学获得学士学位后,又在韩国先进科学技术研究院(KAIST)获得了硕士学位。